Не разбрах в коя схема има дросели в базата?
И в двете схеми, цитирани в тази тема първо няма биполярни транзистори, че да говорим за база.
Синусоидалните инвертори се изпълняват точно с ШИМ и с транзистори в ключов режим. Като последните могат да са биполярни, IGBT, или MOS (полеви). И двете схеми в темата са с MOS FET, и няма никакви дросели в никаква база. Ако греша, и нещо не съм видял, поправи ме.

Изобщо идеята за силова електроника, и биполярни транзистор в активен, линеен (неключов) режим никак не се връзват. И причината е именно КПД. На практика това означава безумно количество топлина, която трябва да се разсее. Топлината е проблем даже и при работа в ключов режим, но се решава с подходящо охлаждане (радиатори, вентилатори и др.)

А тук има хора, които са по-неграмотни и от първолак, които дават мнение за неща, които не разбират.