КЛАСИФИКАЦИЯ

Едностранни – схемата е нанесена само от едната страна и тя е с неопроводени отвори. Изходния материал е едностранно фолиран стъклотекстолит ( диелектрик ) дебелина 1.5-2мм. Върху диелектрика преди полимеризация се залепва медно фолио. С цел постигане на добра адхезия медното фолио едностранно е микронаграпавено. Работната повърхност е пасивирана с цел предпазване от корозия.
Двустранни – схемата е изпълнена и от двете страни като електрическите контакти между двете страни се осъществяват от метализираните отвори. Изходен материал е двустранно фолиран стаклотекстолит.
Платки без и с куплунг.
Без и с нанесена защитна солдер маска ( зелено покритие) – за защита от корозия и механично въздействие. Тази маска е фоточуствителна. Наи-често след нанасяне на солдер маската се обозначават схемите.
Многослойни ПП – изходен материал фолиран стъклотекстолит с много малка дебелина на диелектрика – максимум до 100микрометра. Тези ПП включват в пакет от 3 до 20 отделни двуслойни платки.
ПП с ниска, средна и висока степен на насищане.

ПРОЦЕСИ

Механични, химични, електрохимични, фотохимични, физични процеси които се реализират с помоща на модерно специализирано оборудване

Механични – разкрояване и изрязване на изходния базисен материал до необходимите размери ( размера на заготовката трябва да е по голям от този на платката).
- Изрязване по контур на изготвените ПП
- Механична дезоксидация ( след пробиване на отворите) премахва се пасивационният слои от Cu фолио, изравнява се повърхността и се премахват други онечиствания или остатъци от пробиване на отворите. Същноста на дезоксидацията е крейцване. Отворите се пробиват при висока скорост - минимум 20 000 обор./мин

Химични
А) химичниа подготовка на заготовката
- Химично обезмасляване на Cu фолио
- Байцване (NH4)2S2O8+H2SO4
- Активиране ( декапиране) 3-5% разтвор H2SO4 или HCl
Б) химично отлагане на Cu – процес на метализация. Целта е да се нанесе по химичен път Cu покритие в пробитите отвори с регламентирана дебелина 0.5-1микрометра. Отлагането на Cu протича както в отворите така и върху Cu покритие
- Пряко активиране – обработка на заготовката в колоиден кисел разтвор, които съдържа Sn2+ и Pd2+. Върху цялата повърхност се образуват множество Pd катализиращи центрове по следната окислителна реакция Sn2+ + Pd2+ = Sn4+ +Pd
- Акселериране ( ускоряване)
- Същинско химично отлагане на Cu – използва се Cu а не Ni защото има ниско вътрешно напрежение, добра електропроводимост и ниска температура на работа
Задължително се извършва възвратно постъпателно движение на подвеските.
В) химично ецване – скоростно химично разтваряне на Cu фолио до пълно разкриване на диелектрика след като е отложен т.н. метален резист
- Кисело FeCl3 +HCl ( Fe3+ + Cu = Fe2+ + Cu+)
H2SO4 +H2O2 (Cu+ H2SO4+ H2O2 = CuSO4+H2O)
- Алкално – след нанасяне на блестящ резист от Sn и Sn-Pb които са устоичиви в алкални ецващи разтвори. Разтворите са на база на CuCl2, NH3 и NH4Cl (8,5pH)
Процеса се извършва в ецмашини, като разтвора се подава струйно при непрекъсната циркулация под налягане
Киселото ецване се прилага само при защита на схемите от фоторезист
Г) химично просветляване – извършва се само при нанасяне на металния резист Sn-Pb като целта е да се премахнат незначителните корозионни продукти образувани по време на ецването
Д) Химично награпавяване на Cu – прилага се за вътрешни слоеве на многослойни ПП с цел добро залепване на отделни слоеве при ламиниране
Е) Химично оксидиране на Cu – с цел преди нанасяне на солдер маската и след сваляне на металрезиста като по този начин схемата е защитена от солдер маската - NaOH + окислител
Ж) Химично снемане на металрезиста – без да се снема Cu селективно, химично стрипване. Прилага се за покрития на куплунговата част с друг метал или при изработване на платки за СВЧ техника. Разтворите са смес от HBF4 + H2O2 добре разтваря Sn сплави и не засяга Cu

ЕЛЕКТРОХИМИЧНИ ПРОЦЕСИ

А) Електролизно помедняване – да се удебели Cu в отворите до крайна дебелина 25микрона извършва се със сярнокисел електролит
*Електролизната мед трябва да бъде пластична ( ниско вътрешно съпротивлние). Електролизното помедняване се извършва двустадиино
първично – при ниски катодни плътности на тока, без нагряване, без разбъркване до дебелина от 5 микрона
вторично – високоскоростно с разбъркване, нагряване и увеличена платност на тока до дебелина от 25 микрона
електролизно отлагане на металрезист – блестящ Sn или ситно кристална сплав Sn-Pb (60:40) Регламентирана дебелина 9-12 микрона в отворите; защитава Cu при алкалното ецване.
За СВЧ техника – след снемане на металрезиста се покрива с Ag, Au. За куплунгите – Cu-Ni-Au, Cu-Pd-Ni

ФОТОХИМИЧНИ

Нанасянето на схемата може да стане чрез фотопечат или ситопечат
Фотопечат – по трудоемък, но е по точен
Необходимо е да разполагаме с фотошаблон, изработен 1:1. Тои може да бъде негатив или позитив на оригинала. Върху заготовката се нанася фоторезист – устоичив е само в кисела среда. Чувствителен е към светлината. Фоторезистите могат да бъдат както твърди така и течни. Твърдите имат по-голямо приложение и се нанасят чрез специални съоражения т.н. ламинатори при подходяща температура и налягане.

Ситопечат – по-бърз, но за прости схеми
Реализацията на схемата се изваршва чрез т.н. сито – това е опъната полиестерна мрежа с 20 000 отвора на 1см2. Върху ситото се нанася фоточуствителен слой, копира се и т.н. ситото може да бъде позитив или негатив на оригинала. Ситото се налага върху заготовката и чрез ракел и при определен натиск се разстила мастилото за ситопечат.

ФИЗИЧНИ

Отлагане по горещ път на Sn-Pb чрез потапяне на платката, като предварително Cu се подготвя в флюси
Затапяне на електролизно отложената ситнокристална сплав Sn-Pb. Процеса се изваршва чрез IR светлина. Затапянето задължително се извършва след просветляване с цел премахване на корозионните продукти от ецването

МЕТОДИ ЗА ИЗГОТВЯНЕ НА ПП

Субстрактивен метод – метод на химичното разяждане

Този метод може да бъде негативен или позитивен.
Негативен – при него схемата не се изгражда от фоторезиста или мастилата.
Позитивен – схемата се изгражда ( копира) от самия фоторезист

НЕГАТИВЕН СУБСТРАКТИВЕН МЕТОД

1. след разкрояване на базисния материал, пробиване, дезоксидация
2. след химична предварителна подготовка ( алкално обезмасляване, байцване, активиране, пряко активиране, ускоряване и химично отлагане на Cu
3. първа електролизна Cu при което дебелината и в отворите се увеличава до 5 микрона. Общата дебелина е 40 микрона.
След това платката се промива, подсушва и се нанася схемата. Пистите, контактните площадки и отворите трябва да са от Cu, а всичко друго да е защитено от фоторезист. При този метод се работи с негативен фоторезист и се копира позитивен фотошаблон
4. Кисело обезмасляване, байцване, активиране. Фоторезиста е устойчив само в кисела среда
5. Втора електролизна Cu – за да се удебели Cu в отворите и пистите до 25 микрона
6. Нанасяне на металрезист Sn или Sn-Pb 9-12 микрона
7. Стрипване – премахване на фоторезиста, всичко е все още дадено на късо.
8. Алкално ецване – остава само Cu която е защитена от Sn-Pb.